21世纪经济报道记者张赛男
“集成电路是支撑经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，而DRAM作为数字经济时代的核心内存芯片，更是信息基础设施的关键基石。怀揣补齐短板、保障供应链安全的初心，长鑫科技选择走上一条重投入、长周期、高难度的自主研发之路。”7月15日，长鑫科技举行网上投资者交流会，该公司董事长朱一明在会上表示。
他表示，未来，长鑫将继续坚持高水平技术研发，持续迭代工艺与产品，夯实核心技术根基，加速产能布局。
长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，实现了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
重研发
据介绍，2019年9月，长鑫科技推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。同时，公司积极把握行业发展趋势，持续进行产品迭代，现已形成多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案。长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
长鑫科技表示，公司高度重视技术创新与先进工艺研发，建立了完善的研发创新体系，打造了经验丰富的研发团队，承担多项国家重大专项课题，在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系。长鑫科技与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态，在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域积累了广泛的优质客户资源，形成了良好的品牌效应。
“登陆资本市场对长鑫科技而言，既是新的起点，更意味着新的责任。”朱一明表示，希望通过本次募集资金投资项目，进一步提升公司技术研发能力和产业化水平，增强对市场需求的保障能力；同时，发挥龙头企业的带动作用，促进产业链协同发展，为国内集成电路产业生态建设贡献更大力量。
面向未来，朱一明表示，长鑫科技将始终坚持自主创新的发展道路，将继续保持对技术的敬畏、对创新的投入和对产业的热爱，持续提升核心竞争力，努力打造具有全球影响力的半导体存储企业。
盈利拐点验证
DRAM行业属于重资产、高投入产业，且存储行业具有较强的周期性，长鑫科技如何应对长期成本压力？针对此问题，朱一明在投资者问答中表示，公司作为IDM模式的DRAM厂商，需要持续且密集的资本投入，报告期内公司处于产能快速爬坡阶段，规模效应尚未完全显现，固定资产规模不断扩大导致折旧金额不断增加。
“长鑫科技的历史亏损具有鲜明的周期性与阶段性特征，是符合行业规律的亏损。随着产能释放、产品结构升级、精益生产管理深化和行业进入上行通道，公司盈利拐点已得到连续多期财务数据的验证。”朱一明表示，将持续加大工艺技术和产品研发投入，提升产能规模并优化运营效率，增强公司竞争力。
不过，他也强调，公司还在持续进行产能建设，固定资产账面价值预计将进一步增加，其产生的大额折旧将在折旧期限内对公司业绩产生一定影响，提醒投资者注意相关风险。
DRAM市场稳健增长
目前，DRAM价格处于高位，投资者关心长鑫如何看待其市场发展趋势。朱一明回复称，智能手机性能提升及功能升级驱动单机内存容量增长，为智能手机等移动设备DRAM需求提供有力支撑，推动其市场规模稳健增长。根据Omdia预测，全球包括智能手机在内的移动设备搭载的DRAM总量预计将由2025年的约11,111MGB增长至2030年的约13,776MGB，2025-2030年年复合增长率约为4.39%。
他坦言，DRAM的价格受市场供需等因素的影响较大，投资者需及时关注公开市场披露信息。公司持续加大产品研发投入、加快产品迭代速度，推动产品线不断丰富，产品结构持续优化，并通过加大市场与客户开拓力度，实现产品销售的高速增长。同时，公司持续进行工艺技术研发迭代，工艺技术水平快速追赶世界先进水平。
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